第一千零一十二章：綁架心起

            

            

            “硅基半導體的未來是可預計的，但我們之前的投入不能就此擱淺，所以我們並沒有停止追求在保持器件特性的同時，進一步降低故障率。

作為技術供應商，我們一直在尋找通過新設備獲得更高性能的方法，同時我們也在調整晶圓廠的製造工藝。

在晶圓廠中，我們對平面柵極和溝槽柵極功率使用了許多創新的工藝步驟，創新也就意味著錯誤繁多、兼容難做，有時候一個技術點的差異就會導致整塊晶圓報廢。

比如更厚、更輕摻雜的堆棧，支持更高的擊穿電壓，但導通電阻增加。

所以為了在器件上形成溝槽，某些情況下，溝槽尺寸被我們做到了1um（微米）甚至更小的程度。

為了形成溝槽，我們必須要在器件上沉積另一個掩模層，並且在其中注入摻雜劑。

溝槽被圖案化，然後被蝕刻，由於溝槽填充有柵極材料，所以最後形成源極和漏極。

這些步驟每一步都極為重要，需要感謝的是我們大夏官方某蝕刻研究院提供的技術支持，讓我們用上了世界上最頂尖的蝕刻技術。”

從晶圓到切晶圓、蝕刻、光刻搞芯片，到後面，顧青甚至為這些科技公司的高層們講解起自家九州科技公司對部分半導體芯片問題的解決方向和具體方案。

“西方所謂的3d立體芯片與我們之前的堆疊芯片其實是一個東西，就像是修房子一樣一層層的把芯片疊起來，從一套一套的平房堆疊成數層樓的居民樓房。

一顆芯片能夠做到的事情是有限的，它的性能也是固定的，多顆芯片平面展開安裝的話，雖然能夠把整體處理器的性能提升上去，但是卻會導致處理器核心的芯片模板面積過大，線頭接口太多，容易引發故障。

而3d立體芯片與我們的堆疊芯片就可以把芯片一片片的堆疊起來，在同樣的面積下，實現更強大的性能。

只不過這種技術會導致芯片散熱問題極難解決，芯片一旦出了問題，就必須更換處理器，不存在讓消費者換單一芯片的可能性。